IGBT モジュールとは何ですか。

IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、BJT(バイポーラトランジスタ)とMOS(絶縁ゲート電界効果トランジスタ)で構成される、完全に制御された電圧駆動型の複合パワー半導体デバイスです。MOSFETの高入力インピーダンスと、GTRの低いオン電圧降下の両方の利点があります。GTRの飽和電圧が低下し、電流を運ぶ密度は高いが、駆動電流は比較的大きい。MOSFET駆動電力は非常に小さく、スイッチング速度は速いが、ターンオン電圧降下が大きく、電流を運ぶ密度が小さい。IGBTは、低い駆動力と飽和電圧の低減により、上記の2つのデバイスの利点を兼ね備えています。